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场发射扫描电子显微镜FE-SEM

蔡司 Crossbeam 将场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)镜筒的强大成像和分析性能与新一代聚焦离子束(FIB) 的优异加工能力相结合,无论是切割、成像或进行 3D 分析。


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产品描述

专为高通量 3D 分析和样品制备量身打造的 FIB-SEM

蔡司 Crossbeam 将场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)镜筒的强大成像和分析性能与新一代聚焦离子束(FIB) 的优异加工能力相结合,无论是切割、成像或进行 3D 分析。借助 Gemini 电子光学系统,您可从高分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像中获取真实的样品信息。Ion-sculptor FIB 镜筒整体上引入了全新的 FIB 加工方法。这种方法能够减少样品损伤,提升样品质量,从而加快实验进程。通过为您量身定制仪器,可以实现高质量和高速度的 TEM 薄片样品制备。Crossbeam 350 具有可选的可变气压功能。Crossbeam 550 可以针对您急需的样品实现更严苛的制样与表征,以及选择更适配样品的样品仓尺寸。

型号

蔡司 Crossbeam 350

 

蔡司 Crossbeam 550

 

扫描电子显微镜(SEM)

 

肖特基发射源

 

肖特基发射源

 

1.7 纳米 @ 1 kV

 

1.4 纳米 @ 1 kV

 

 

1.2 nm @ 1 kV,配备 Tandem decel

1.6 nm @ 200 V,配备 Tandem decel

 

0.9 纳米 @ 15 kV

 

0.7 纳米 @ 15 kV

 

0.7 nm @ 30 kV(STEM 模式)

 

0.6 nm @ 30 kV(STEM 模式)

 

2.3 nm @ 1 kV(工作距离 5 mm)

 

1.8 nm @ 1 kV(工作距离 5 mm)

 

 

 

 

1.3 nm @ 1 kV,配备 Tandem decel(工作距离 5 mm)

1.1 nm @ 15kV(工作距离 5 mm)

0.9 nm @ 15 kV(工作距离 5 mm)

 

2.3 nm @ 20 kV & 10 nA(工作距离 5 mm)

 

2.3 nm @ 20 kV & 10 nA(工作距离 5 mm)

 

电子束流:5 pA – 100 nA

 

电子束流:10 pA – 100 nA

 

聚焦离子束(FIB)

 

液态金属离子源:寿命:3000 μAh

液态金属离子源:寿命:3000 μAh

 

分辨率:3 nm @ 30 kV(统计方法)

分辨率:3 nm @ 30 kV(统计方法)

分辨率:120 nm @ 1 kV & 10 pA(可选)

分辨率:120 nm @ 1 kV & 10 pA

检测器

Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可变气压二次电子探测器)、

SESI(二次电子二次离子探测器)、aSTEM(扫描透射电子探测器)、

aBSD(背散射探测器)

 

Inlens SE、Inlens EsB、ETD(Everhard-Thornley 探测器)、

SESI(二次电子二次离子探测器)、aSTEM(扫描透射电子探测器)、

aBSD(背散射探测器)和 CL(阴极荧光探测器)

 

样品仓规格和端口

 

标准样品仓配有 18 个可配置端口

 

标准样品仓配有 18 个可配置端口

大型样品仓配有 22 个可配置端口

 

样品台

 

X /Y = 100 毫米

 

X /Y = 100 毫米

X / Y = 153 毫米

 

Z = 50 毫米,Z' = 13 毫米

 

Z = 50 毫米,Z' = 13 毫米

Z = 50 毫米,Z' = 20 毫米

 

T = –4° 至 70°,R = 360°

 

T = –4° 至 70°,R = 360°

T = –15° 至 70°,R = 360°

 

电荷控制

 

电子束流枪

 

电子束流枪

 

局部电荷中和器

 

局部电荷中和器

 

可变气压

 

/

气体

 

单通道气体注入系统:Pt、C、SiOx 、W、H2 O

 

单通道气体注入系统:Pt、C、SiOx、W、H2 O

 

多通道气体注入系统:Pt、C、W、Au、H2 O、SiOX、XeF2

 

多通道气体注入系统:Pt、C、W、Au、H2 O、SiOX、XeF2

 

存储分辨率

 

32 k × 24 k(使用选配的 ATLAS 5 3D 断层扫描模块,可高达 50 k × 40 k)

 

32 k × 24 k(使用选配的 ATLAS 5 3D 断层扫描模块,可高达 50 k × 40 k)

 

可选分析附件

 

EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要还可提供其他选件

 

EDS、EBSD、WDS、SIMS,如有需要还可提供其他选件

 

优势

 

由于采用可变气压模式及广泛的原位实验,可大幅扩大样品兼容性。

 

以高通量完成分析与成像,且在各种条件下皆可获得高分辨率。

 

 

可伸缩 ToF-SIMS 二次离子质谱仪

 

探测限值:< 4,2 ppm(硅中的硼)

横向分辨率:< 35 nm

质荷比范围:1-500 Th

质量分辨率:m/Δm > 500 FWTM

纵向分辨率:< 20 nm AlAs/GaAs 多层结构

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