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产品描述
专为高通量 3D 分析和样品制备量身打造的 FIB-SEM
蔡司 Crossbeam 将场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）镜筒的强大成像和分析性能与新一代聚焦离子束（FIB） 的优异加工能力相结合，无论是切割、成像或进行 3D 分析。借助 Gemini 电子光学系统，您可从高分辨率扫描电子显微镜（SEM）图像中获取真实的样品信息。Ion-sculptor FIB 镜筒整体上引入了全新的 FIB 加工方法。这种方法能够减少样品损伤，提升样品质量，从而加快实验进程。通过为您量身定制仪器，可以实现高质量和高速度的 TEM 薄片样品制备。Crossbeam 350 具有可选的可变气压功能。Crossbeam 550 可以针对您急需的样品实现更严苛的制样与表征，以及选择更适配样品的样品仓尺寸。
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型号 |
蔡司 Crossbeam 350
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蔡司 Crossbeam 550
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扫描电子显微镜（SEM）
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肖特基发射源
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肖特基发射源
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1.7 纳米 @ 1 kV
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1.4 纳米 @ 1 kV
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1.2 nm @ 1 kV，配备 Tandem decel |
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1.6 nm @ 200 V，配备 Tandem decel
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0.9 纳米 @ 15 kV
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0.7 纳米 @ 15 kV
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0.7 nm @ 30 kV（STEM 模式）
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0.6 nm @ 30 kV（STEM 模式）
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2.3 nm @ 1 kV（工作距离 5 mm）
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1.8 nm @ 1 kV（工作距离 5 mm）
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1.3 nm @ 1 kV，配备 Tandem decel（工作距离 5 mm） |
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1.1 nm @ 15kV（工作距离 5 mm） |
0.9 nm @ 15 kV（工作距离 5 mm）
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2.3 nm @ 20 kV & 10 nA（工作距离 5 mm）
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2.3 nm @ 20 kV & 10 nA（工作距离 5 mm）
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电子束流：5 pA – 100 nA
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电子束流：10 pA – 100 nA
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聚焦离子束（FIB）
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液态金属离子源：寿命：3000 μAh |
液态金属离子源：寿命：3000 μAh
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分辨率：3 nm @ 30 kV（统计方法） |
分辨率：3 nm @ 30 kV（统计方法） |
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分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA（可选） |
分辨率：120 nm @ 1 kV & 10 pA |
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检测器 |
Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可变气压二次电子探测器）、 SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、 aBSD（背散射探测器）
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Inlens SE、Inlens EsB、ETD（Everhard-Thornley 探测器）、 SESI（二次电子二次离子探测器）、aSTEM（扫描透射电子探测器）、 aBSD（背散射探测器）和 CL（阴极荧光探测器）
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样品仓规格和端口
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标准样品仓配有 18 个可配置端口
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标准样品仓配有 18 个可配置端口 大型样品仓配有 22 个可配置端口
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样品台
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X /Y = 100 毫米
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X /Y = 100 毫米 X / Y = 153 毫米
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Z = 50 毫米，Z' = 13 毫米
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Z = 50 毫米，Z' = 13 毫米 Z = 50 毫米，Z' = 20 毫米
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T = –4° 至 70°，R = 360°
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T = –4° 至 70°，R = 360° T = –15° 至 70°，R = 360°
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电荷控制
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电子束流枪
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电子束流枪
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局部电荷中和器
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局部电荷中和器
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可变气压
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气体
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单通道气体注入系统：Pt、C、SiOx 、W、H2 O
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单通道气体注入系统：Pt、C、SiOx、W、H2 O
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多通道气体注入系统：Pt、C、W、Au、H2 O、SiOX、XeF2
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多通道气体注入系统：Pt、C、W、Au、H2 O、SiOX、XeF2
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存储分辨率
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32 k × 24 k（使用选配的 ATLAS 5 3D 断层扫描模块，可高达 50 k × 40 k）
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32 k × 24 k（使用选配的 ATLAS 5 3D 断层扫描模块，可高达 50 k × 40 k）
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可选分析附件
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EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要还可提供其他选件
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EDS、EBSD、WDS、SIMS，如有需要还可提供其他选件
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优势
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由于采用可变气压模式及广泛的原位实验，可大幅扩大样品兼容性。
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以高通量完成分析与成像，且在各种条件下皆可获得高分辨率。
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可伸缩 ToF-SIMS 二次离子质谱仪
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探测限值：< 4,2 ppm（硅中的硼） |
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横向分辨率：< 35 nm |
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质荷比范围：1-500 Th |
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质量分辨率：m/Δm > 500 FWTM |
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纵向分辨率：< 20 nm AlAs/GaAs 多层结构 |
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